激光器芯片（光发射核心）

VCSEL（GaAs 系列）

工作波段 780–980nm，通信场景主流为 850nm，依托 GaAs 材料大规模量产。主打短距高速互联，大量应用在数据中心多模光模块，完成机柜内服务器、交换机之间短距离数据互通；同时广泛布局 3D 感知赛道，涵盖手机人脸识别、车载激光雷达、工业 3D 视觉检测。量产成本优势突出，但仅支持多模光纤，只适合短距离传输。

1. FP 激光器（InP 系列）

   工作波段 1270–1610nm，适配各类中低速单模通信场景。光谱宽度较大，抗色散能力有限，多用于千兆及以下低速率光模块、光纤宽带 PON 接入、工业通信、安防光传输等短距离单模链路。

2. DFB 激光器（InP 系列）

   光谱窄、信号稳定性强，是现阶段 25G/50G 光模块的主流方案。大规模用于 5G 基站回传、园区楼宇互联、城域接入网、CWDM 波分系统，支撑 10km~40km 中长距离单模传输，也是企业组网、运营商接入网络用量最大的单模发光芯片。

   

3. EML（InP 系列，电吸收调制激光器）

   高速调制性能优异，是 800G/1.6T 超高速光模块的核心器件，属于行业升级刚需。主要落地大型云数据中心骨干互联、高速城域链路、长途骨干传输，承载超大带宽、超高流量的数据交互。

   
   

探测器芯片（InP 系列，光接收核心）

器件工作区间 1270–1610nm 通信波段，负责把光纤传来的光信号转换成电信号。

1. APD（InP 系列）

   自带光电增益，接收灵敏度高，面向长距离传输场景。普遍搭载在 40km 及以上远距离光模块、运营商骨干网络、远距离基站回传设备，能够捕捉长途传输衰减之后的微弱光信号。

   

2. PIN（InP 系列）

   结构简单、稳定可靠，适配中短距通用场景，大量配套 PON 设备、企业专线、园区 10km/20km 常规单模光模块。

   

光调制器（InP 系列）

基于 InP 材料制备，完成光信号高速调制，是超高速通信必不可少的核心部件。在 800G、1.6T 这类超高速传输场景中，搭配激光器优化信号质量，减少信号畸变，支撑大容量高速光互联。

两大材料体系核心差别

GaAs 体系：波段 780–980nm，核心产品就是 850nm 多模 VCSEL，主攻短距多模互联和 3D 感知，生产成本更低。

InP 体系：波段 1270–1610nm，覆盖 DFB、EML、PIN、APD、光调制器，全部面向单模中长距光模块。

InP 芯片在外延生长、晶圆制造、封装环节工艺难度更高，整体成本远高于 GaAs 芯片，这也是市面上长距单模光模块价格普遍高于多模光模块的根本原因。

GaAs 基 VCSEL 稳住数据中心短距互联、3D 感知市场；InP 系列器件包揽几乎所有单模中长距光通信场景，从宽带接入、5G 基站回传，延伸至 800G 以上新一代高速互联。两条 III-V 族技术路线优势互补，覆盖消费光电、企业网络、移动通信、运营商骨干网各类场景，是整个光通信产业底层核心。

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